在碳化硅结晶过程中，用物相反衬式显微镜对工业炉制取的SIC粗单晶表面进行观察，碳化硅厂家发现许多螺旋状生成物。采用复射线干涉仪方法测定了结晶上的螺旋状生成物螺距的高度，并证明其高度等于该变体原晶格的参数。根据这些结果可以得出结论：碳化硅中生产各类型变体的原因，可能是由于在不同矢量螺旋状错动层周围生成螺旋状生物体的缘故。
据碳化硅厂家推测，当气相或熔体极大地过饱和时，表面颗粒聚集后将生成片状晶芽，由于杂质分布不均及热交换不均匀，其中的内应力有所增加。这些因素导致片状晶芽受到压缩，直至产生塑性变形。如果均匀变形骤然停止，则生成螺旋状错动。
|
